STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: STripFET F3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
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