STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 70W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
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Technische Details STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STL8DN10LF3 nach Preis ab 2.29 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STL8DN10LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 658-662 Tag (e) |
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STL8DN10LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL8DN10LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL8DN10LF3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL8DN10LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 70W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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