STL6N2VH5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V
auf Bestellung 2974 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 17+ | 1.07 EUR |
| 20+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details STL6N2VH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STL6N2VH5 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V |
auf Bestellung 3457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL6N2VH5 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V |
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