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STL225N6F7AG

STL225N6F7AG STMicroelectronics


en.DM00241187.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details STL225N6F7AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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STL225N6F7AG STL225N6F7AG Hersteller : STMicroelectronics stl225n6f7ag-1851043.pdf MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
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STL225N6F7AG STL225N6F7AG Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002944-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8969 Stücke:
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STL225N6F7AG STL225N6F7AG Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002944-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STL225N6F7AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00241187.pdf STL225N6F7AG SMD N channel transistors
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STL225N6F7AG STL225N6F7AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00241187.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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