
STL18N65M2 STMicroelectronics
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 1.68 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STL18N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STL18N65M2 nach Preis ab 1.68 EUR bis 5.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |