STI4N62K3

STI4N62K3 STMicroelectronics


stf4n62k3-1850572.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET
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Technische Details STI4N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V.

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STI4N62K3 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
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STI4N62K3 STI4N62K3 Hersteller : STMicroelectronics cd0027472.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
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STI4N62K3 STI4N62K3 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00274723.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
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