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SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Mounting: SMD, Case: uDFN6, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, On-state resistance: 60.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 24.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Mounting: SMD Case: uDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 60.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 24.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Mounting: SMD Case: uDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 60.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 24.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
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