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Technische Details SSM6J212FE,LF(CA Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6J212FE,LF(CA nach Preis ab 0.5 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM6J212FE,LF(CA | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R |
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SSM6J212FE,LF(CA | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM6J212FE,LF(CA | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM6J212FE,LF(CA | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R |
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