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SSM3K361TU,LF

SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
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Technische Details SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V.

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SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Hersteller : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Hersteller : Toshiba SSM3K361TU_datasheet_en_20220419-1289326.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
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