SSM3K339R TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Mounting: SMD
Case: SOT23F
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SSM3K339R TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Mounting: SMD, Case: SOT23F, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, On-state resistance: 390mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.1nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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SSM3K339R | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 40V Drain current: 2A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.1nC |
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| SSM3K339R | Hersteller : Toshiba |
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