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Technische Details SSM3K329R,LF(B Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 1.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Case: SOT23F, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 289mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote SSM3K329R,LF(B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM3K329R,LF(B | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM3K329R,LF(B | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23F Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 289mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SSM3K329R,LF(B | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23F Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 289mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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