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Technische Details SSM3K15AFS,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K15AFS,LF(T nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SSM3K15AFS,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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