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Technische Details SSM3K15AFS,LF(B Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.1A, Power dissipation: 0.1W, Case: SC75, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SSM3K15AFS,LF(B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SSM3K15AFS,LF(B | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
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| SSM3K15AFS,LF(B | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SSM3K15AFS,LF(B | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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