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SSM3J56MFV,L3F

SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
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Technische Details SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.

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SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Hersteller : Toshiba 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
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SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Hersteller : Toshiba 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
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SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Hersteller : Toshiba SSM3J56MFV_datasheet_en_20140301-1916094.pdf MOSFET Small Signal MOSFET
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SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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