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SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F Toshiba

ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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Technische Details SSM3J35AMFV,L3F Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Hersteller : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Hersteller : Toshiba SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Hersteller : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
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Package / Case: SOT-723
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
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