SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3J332R,LF(T nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised |
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| SSM3J332R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 10609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J332R,LF(T Produktcode: 170575 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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| SSM3J332R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
Produkt ist nicht verfügbar |