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Technische Details SSM3J328R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm.
Weitere Produktangebote SSM3J328R,LF(T nach Preis ab 0.079 EUR bis 0.34 EUR
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J328R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F SSM3J328R,LF(B SSM3J328R TSSM3j328r Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 88.4mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SSM3J328R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 88.4mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
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