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SQW61N65EF-GE3

SQW61N65EF-GE3 Vishay / Siliconix


sqw61n65ef.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B
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Technische Details SQW61N65EF-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 62, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-247AD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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SQW61N65EF-GE3 SQW61N65EF-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqw61n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQW61N65EF-GE3 SQW61N65EF-GE3 Hersteller : VISHAY 3171400.pdf Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 62
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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