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Technische Details SQP10250E_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQP10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 53 A, 0.0244 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 53, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0244, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 3, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQP10250E_GE3 nach Preis ab 2.41 EUR bis 4.91 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQP10250E_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQP10250E_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SQP10250E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 53 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0244 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQP10250E_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SQP10250E_GE3 | Hersteller : Vishay |
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