SQM120P04-04L_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQM120P04-04L_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQM120P04-04L_GE3 nach Preis ab 3.51 EUR bis 7.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: To Be Advised |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P04-04L-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM120P04-04L_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQM120P04-04L-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120P04-04L_GE3 |
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