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SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3 Vishay

sqm100p10-19l.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details SQM100P10-19L_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay sqm100p10-19l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm100p10-19l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqm100p10-19l.pdf MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm100p10-19l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : VISHAY 3006492.pdf Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : VISHAY 3006492.pdf Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay sqm100p10-19l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay sqm100p10-19l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : Vishay sqm100p10-19l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : VISHAY SQM100P10-19L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -53A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Hersteller : VISHAY SQM100P10-19L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -53A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced
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