![SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_263_AC_3_SPL.jpg)
SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 98A, Power dissipation: 157W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95.5nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQM100N04-2M7_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SQM100N04-2M7-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SQM100N04-2M7-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced |
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