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SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq404e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJQ404E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00133ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SQJQ404E-T1_GE3 SQJQ404E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2687554.pdf Description: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ404E-T1_GE3 SQJQ404E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2687554.pdf Description: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ404E-T1_GE3 SQJQ404E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq404e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQJQ404E-T1_GE3 SQJQ404E-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjq404e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQJQ404E-T1_GE3 SQJQ404E-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqjq404e-1766635.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L
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