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SQJQ184E-T1_GE3

SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq184e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
auf Bestellung 1328 Stücke:
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41+ 3.69 EUR
43+ 3.35 EUR
50+ 3.19 EUR
100+ 2.79 EUR
250+ 2.52 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 36
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 36
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqjq184e.pdf MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
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10+ 4.7 EUR
25+ 4.44 EUR
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250+ 3.61 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 3.08 EUR
SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq184e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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SQJQ184E-T1/GE3 Hersteller : Vishay MOSFET
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SQJQ184E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq184e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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