SQJQ160E-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJQ160E-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 602A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQJQ160E-T1_GE3 nach Preis ab 2.68 EUR bis 5.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 6649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 602A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 602A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJQ160E-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQJQ160E-T1 GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C |
Produkt ist nicht verfügbar |