SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQJQ141EL-T1_GE3 nach Preis ab 1.91 EUR bis 5.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R |
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 390A T/R |
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SQJQ141EL-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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