SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 2.25A, Power dissipation: 13.6W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 56mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SQA470EEJ-T1_GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 1.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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