SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Technische Details SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQ9945BEY-T1_GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8 Power dissipation: 4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.1A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8 Power dissipation: 4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.1A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 13873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 12091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SQ9945BEY-T1-GE3 |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ9945BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ9945BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
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