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SQ9407EY-T1-GE3 Vishay
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Technische Details SQ9407EY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQ9407EY-T1-GE3 nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ9407EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ9407EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ9407EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQ9407EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ9407EY-T1_GE3 |
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