SQ4917EY-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQ4917EY-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ4917EY-T1_GE3 nach Preis ab 0.93 EUR bis 10.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 62467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. MOSFET 2P-CH 60V 7A 8SOIC Q101 Qualified |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
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SQ4917EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQ4917EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |