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Technische Details SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: P-MOSFET, On-state resistance: 70mΩ, Power dissipation: 4W, Polarisation: unipolar, Drain current: -7.5A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 23.5nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -30A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SQ3481EV-T1_BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Drain current: -7.5A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 23.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
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SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
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| SQ3481EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Polarisation: unipolar Drain current: -7.5A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 23.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A |
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