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SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.41 EUR |
6000+ | 0.39 EUR |
9000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ2319ADS-T1_GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 61330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 13442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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