SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
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Technische Details SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQ1922EEH-T1_GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ1922EEH-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 350014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ1922EEH-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 3040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ1922EEH-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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