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SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sq1902ael-1764497.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

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SQ1902AEL-T1_GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3006528.pdf Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq1902el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
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SQ1902AEL-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq1902el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
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