Produkte > ONSEMI > SPZT651T1G
SPZT651T1G

SPZT651T1G onsemi

PZT651T1_D-2319795.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 18030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.36 EUR
10+ 1.06 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SPZT651T1G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Weitere Produktangebote SPZT651T1G nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SPZT651T1G SPZT651T1G Hersteller : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.39 EUR
16+ 1.13 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SPZT651T1G SPZT651T1G Hersteller : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar