SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 13.39 EUR |
30+ | 8.37 EUR |
120+ | 7.37 EUR |
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Technische Details SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 284W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPW32N50C3FKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW32N50C3FKSA1 Produktcode: 131640 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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