SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| 33+ | 4.75 EUR |
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| 250+ | 2.63 EUR |
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Technische Details SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPP80P06PHXKSA1 nach Preis ab 2.63 EUR bis 10.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 Produktcode: 172970 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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