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SPP21N50C3XKSA1

SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_SPP_I_A21N50C3_DS_v03_02_en_5b1_5d-3167161.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 560V 21A TO220-3
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Technische Details SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMos, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPP21N50C3XKSA1 SPP21N50C3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies SPx21N50C3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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SPP21N50C3XKSA1 SPP21N50C3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spp_i_a21n50c3_rev1.3.2new.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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SPP21N50C3XKSA1 SPP21N50C3XKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS14201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMos
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SPP21N50C3XKSA1 SPP21N50C3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spp_i_a21n50c3_rev1.3.2new.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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