SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote SPP20N60S5XKSA1 nach Preis ab 3.22 EUR bis 18.26 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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SPP20N60S5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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