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SPP20N60S5

SPP20N60S5 Infineon

SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
Produktcode: 32013
Hersteller: Infineon
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
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Technische Details SPP20N60S5 Infineon

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:20A
  • On State Resistance:0.19ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:208W
  • Max Voltage Vds:600V
  • Max Voltage Vgs th:5.5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:208W
  • Power Dissipation Pd:208W
  • Pulse Current Idm:40A
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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