SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPP11N80C3XKSA1 nach Preis ab 1.57 EUR bis 8.96 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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