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SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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58+ | 2.69 EUR |
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Technische Details SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPP11N60C3XKSA1 nach Preis ab 1.74 EUR bis 5.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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