SPP03N60C3HKSA1 Infineon
Produktcode: 113411
Hersteller: InfineonUds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SPP03N60C3HKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP03N60C3HKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP03N60C3HKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP03N60C3 |
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| 2,4 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 77122 |
Hersteller: Cinetech
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,4 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,4 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 1207 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.0048 EUR |
| 100+ | 0.004 EUR |
| 1000+ | 0.0034 EUR |
| STP7NK80Z Produktcode: 44313 |
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
auf Bestellung 107 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| UC3843BNG Produktcode: 30863 |
|
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High performance current mode controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: High performance current mode controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| SMICA TO220-2 Dichtung Silikon 20x15mm mit Hulse TO220 Produktcode: 26114 |
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Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung Silikon mit Hülse, für TO220, 0.4К/W, 10kV/mm
Größe: 20x15х0,3mm
Матеріал: Силікон
№ 5: 8536693000
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung Silikon mit Hülse, für TO220, 0.4К/W, 10kV/mm
Größe: 20x15х0,3mm
Матеріал: Силікон
№ 5: 8536693000
verfügbar: 237 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| IRFR420 Produktcode: 18228 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252A
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252A
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)