SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
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Technische Details SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm.
Weitere Produktangebote SPD50P03LGBTMA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm |
auf Bestellung 5371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPD50P03LGBTMA1 Produktcode: 126532 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
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SPD50P03LGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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SPB21N50C3 Produktcode: 115739 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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