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SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

spd09p06plrev2.6.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 2500
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
78+0.93 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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107+0.67 EUR
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Anzahl Preis
118+1.32 EUR
138+1.08 EUR
161+0.89 EUR
200+0.81 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPD09P06PL_DS_v02_06_en-3363894.pdf MOSFETs P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
auf Bestellung 2198 Stücke:
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2+1.64 EUR
10+1.27 EUR
100+0.86 EUR
500+0.72 EUR
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2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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9+2.06 EUR
14+1.32 EUR
100+0.90 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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