SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPD08P06PGBTMA1 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.53 EUR
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.8A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPD08P06PGBTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.8A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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