SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote SPD08N50C3ATMA1 nach Preis ab 0.90 EUR bis 2.80 EUR
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 2053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon |
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SPD08N50C3ATMA1 Produktcode: 169599
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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