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SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPD06N80C3ATMA1 nach Preis ab 1.35 EUR bis 9.14 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 32076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPD06N80C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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