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SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
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Technische Details SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote SPA15N60C3XKSA1 nach Preis ab 1.85 EUR bis 6.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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