SP8M4FRATB ROHM Semiconductor
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Technische Details SP8M4FRATB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOP, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, Verlustleistung, p-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012, Dauer-Drainstrom Id: 9, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
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SP8M4FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOP Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds: 30 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 Verlustleistung, p-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012 Dauer-Drainstrom Id: 9 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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SP8M4FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012 Verlustleistung, p-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012 productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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SP8M4FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP |
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SP8M4FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP |
Produkt ist nicht verfügbar |